品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3845(Q), 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SK3845(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-2188
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Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TPH4R606NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5140
搜索
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TPH7R506NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5147
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK100A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6097
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK100A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2853
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK40A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2375
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4033(TE16L1,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SK4033(TE16L1,NQ)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-342
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK30E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5083
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK58E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5106
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK100A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4971
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5166
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2401
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SJ669(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-546
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3658(TE12L,F), 2 A, Vds=60 V, 4引脚 PW Mini封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SK3658(TE12L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-235
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E06N1, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK40E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5099
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Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH14006NH, 34 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TPH14006NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5137
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK40A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5132
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2951
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4017(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold2封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SK4017(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-580
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Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2SJ668(TE16L,NQ)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-174
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5087
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6249
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