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安装类型	表面贴装
长度	4.6mm
尺寸	4.6 x 2.5 x 1.6mm
典型输入电容值@Vds	140 pF V @ 10
典型栅极电荷@Vgs	5 nC V @ 10
封装类型	PWMini
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	1500 mW
最大连续漏极电流	2 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	0.3 Ω
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• 2SK3658 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2?π?MOSV) Data Sheet