TK58A06N1,S4X(S,827-6249,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装

制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
827-6249
Toshiba TK58A06N1,S4X(S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK58A06N1,S4X(S产品详细信息

TK58A06N1,S4X(S产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.5 x 15mm  
  典型关断延迟时间  56 ns  
  典型接通延迟时间  33 ns  
  典型输入电容值@Vds  3400 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  46 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220SIS  
  高度  15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  35 W  
  最大连续漏极电流  58 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  5.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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TK58A06N1,S4X(S产品技术参数资料

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