2SJ669(Q),185-546,Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装 ,Toshiba
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装

制造商零件编号:
2SJ669(Q)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
185-546
Toshiba 2SJ669(Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2SJ669(Q)产品详细信息

MOSFET P 通道,2SJ 系列,Toshiba

2SJ669(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  8mm  
  尺寸  8 x 3.5 x 7mm  
  典型输入电容值@Vds  700 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  TPS  
  高度  7mm  
  宽度  3.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1200 mW  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  170 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2SJ669(Q)产品技术参数资料

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