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安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.5 x 15mm
典型关断延迟时间	56 ns
典型接通延迟时间	33 ns
典型输入电容值@Vds	3400 pF@ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	46 nC @ 10 V
封装类型	TO-220SIS
高度	15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	35 W
最大连续漏极电流	105 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	5.4 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK58A06N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
• TK58A06N1 N-Channel MOSFET Data Sheet