2SK4017(Q),185-580,Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4017(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold2封装 ,Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4017(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold2封装

制造商零件编号:
2SK4017(Q)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
185-580
Toshiba 2SK4017(Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2SK4017(Q)产品详细信息

MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba

2SK4017(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 2.3 x 5.5mm  
  典型输入电容值@Vds  730 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  PW Mold2  
  高度  5.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  20 W  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2SK4017(Q)产品技术参数资料

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