TPH7R506NH,796-5147,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装 ,Toshiba
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TPH7R506NH
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商零件编号:
TPH7R506NH
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
796-5147
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPH7R506NH产品详细信息
TPH7R506NH产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 5 x 0.95mm
典型关断延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
21 ns
典型输入电容值@Vds
1785 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs
31 nC @ 10 V
封装类型
SOP 高级
高度
0.95mm
宽度
5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
45 W
最大连续漏极电流
55 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
19 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TPH7R506NH相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 5mm
Toshiba 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
典型关断延迟时间 25 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 25 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 21 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 21 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns
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典型输入电容值@Vds 1785 pF @ 30 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 1785 pF @ 30 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1785 pF @ 30 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1785 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V
封装类型 SOP 高级
Toshiba 封装类型 SOP 高级
MOSFET 晶体管 封装类型 SOP 高级
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP 高级
高度 0.95mm
Toshiba 高度 0.95mm
MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
宽度 5mm
Toshiba 宽度 5mm
MOSFET 晶体管 宽度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
Toshiba 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 45 W
Toshiba 最大功率耗散 45 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45 W
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45 W
最大连续漏极电流 55 A
Toshiba 最大连续漏极电流 55 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A
最大漏源电压 60 V
Toshiba 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 19 mΩ
Toshiba 最大漏源电阻值 19 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19 mΩ
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最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
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TPH7R506NH产品技术参数资料
TPH7R506NH, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
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