FMW20N60S1HF,772-9004,Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW20N60S1HF, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Fuji Electric
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Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW20N60S1HF, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
FMW20N60S1HF
库存编号：
772-9004
Fuji Electric FMW20N60S1HF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FMW20N60S1HF产品详细信息

N-Channel Power MOSFET, Super J MOS, Fuji Electric

N-Channel enhancement mode power MOSFETs

- Low on-resistance
- Low noise
- Low switching loss

FMW20N60S1HF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 5.03 x 20.95mm  
  典型关断延迟时间  162 ns  
  典型接通延迟时间  40 ns  
  典型输入电容值@Vds  1470 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  48 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.03mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  Super J-MOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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FMW20N60S1HF配套附件

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