产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DiodesZetex (8)
Fairchild Semiconductor (17)
Fuji Electric (1)
Infineon (23)
International Rectifier (1)
IXYS (5)
MagnaChip (4)
STMicroelectronics (18)
Toshiba (12)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4746
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4764
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCB20N60FTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6119
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPP21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3207
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR120Z, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR120Z
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4309
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9102
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1152
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STF24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2924
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STFI20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2942
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STW24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3090
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STB24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3103
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
TK16N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5047
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1411
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1499
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
TK16J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6141
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4838
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCPF190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4936
查看其他仓库
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
MMQ60R190PTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5056
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
TK16A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2901
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH36N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-467
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FCB20N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0330
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P10, 16.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
FQP17P10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5048
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号