产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IXTP7N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-506
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP13NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1079
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STB18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6459
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6477
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STW18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6479
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60Z, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP6NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7838
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP6NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2357
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0159
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFIBC40GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1332
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFPC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9822
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFPC50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9844
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FQD1N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0983
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4746
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FCP7N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4755
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FCPF16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4761
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
FCPF20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4764
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK60ZT4, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STD5NK60ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5106
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5181
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFIBC20GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4783
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP22N60KPBF, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IRFP22N60KPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4806
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IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N60, 44 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
IXFK44N60
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5358
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STY80NM60N, 74 A, Vds=600 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STY80NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6803
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