规格:最大栅阈值电压 3.5V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
2SK3176(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-247
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPD65R250C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7125
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPA90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7149
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPA90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9088
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
ZVP2110A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4580
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BS250FTA, 90 mA, Vds=45 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
BS250FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
215-6593
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP1320FTA, 35 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
ZVP1320FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7704
搜索
DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 ZXMP2120FFTA, 130 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
ZXMP2120FFTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2620
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPW60R045CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8397
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPA60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2995
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPW60R070C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3068
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPW90R120C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3077
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
BSZ160N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5373
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
IPP072N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5480
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Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
FMW30N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9008
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP301-TL-H, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
ATP301-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9516
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3745LS-1E, 2 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
2SK3745LS-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0728
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2SK3747-1E, 2 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
2SK3747-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0730
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3748-1E, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大栅阈值电压 3.5V,
制造商零件编号:
2SK3748-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0734
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