STD5N20LT4,920-6660,STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD5N20LT4, 5 A, Vds=200 V, 2针+焊片 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD5N20LT4, 5 A, Vds=200 V, 2针+焊片 DPAK封装

制造商零件编号:
STD5N20LT4
库存编号:
920-6660
STMicroelectronics STD5N20LT4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD5N20LT4产品详细信息

N 通道 STripFET?,STMicroelectronics

STD5N20LT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  11.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  242 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET  
  引脚数目  2+Tab  
  正向二极管电压  1.5V  
  正向跨导  6.5S  
  最大功率耗散  33 W  
  最大连续漏极电流  5 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  700 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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STD5N20LT4缓存库存及参考价格

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