规格:最大功率耗散 33 W,
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STMicroelectronics BDW94CFP PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
BDW94CFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-7518
搜索
STMicroelectronics STGIF10CH60TS-L N通道 智能功率模块, 阵列, 15 A, Vce=600 V, 26引脚 SDIP2F封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
STGIF10CH60TS-L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
917-3384
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7149
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5807NT4G, 23 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
NTD5807NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1033
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SI7405BDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1400
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
FDMS7682
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4784
搜索
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R290PTH, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
MMF60R290PTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5034
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA126N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2242
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8329TRPBF, 57 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IRFHM8329TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5001
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7780
搜索
Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPG20N06S4L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9095
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IRLIB9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4485
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
FDMS7682
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4816
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8467
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF10N40D-E3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SIHF10N40D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9156
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
FDPF7N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3633
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C05NT1G, 78 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
NTMFS4C05NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3252
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD5N20LT4, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
STD5N20LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
249-123
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3140
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF5N60NZ, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
FDPF5N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9188
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF8N50D-E3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SIHF8N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9162
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDD6530A, 21 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
FDD6530A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0900
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ON Semiconductor NSV1C300ET4G , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
NSV1C300ET4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
807-9912
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STMicroelectronics BDW93CFP NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
BDW93CFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
793-1318
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