规格:最大漏源电压 200 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IXFH96N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-442
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
STD5N20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
2SK3176(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-247
查看其他仓库
Magnatec Si N沟道 MOSFET BUZ901, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
BUZ901
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-053
搜索
Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ901D, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
BUZ901D
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-069
搜索
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
BUZ906
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-110
搜索
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
BUZ906P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-132
搜索
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906DP, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PBL封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
BUZ906DP
品牌:
Magnatec
库存编号:
197-9985
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF630
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-0171
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF640PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0452
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFD210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0531
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP240PBF, 20 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFP240PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0660
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFI9640GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1128
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2020
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFI9610GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2193
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF9640SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4211
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610SPBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF9610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4227
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRFS23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4845
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
IRF9640LPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4895
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP1320FTA, 35 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
ZVP1320FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7704
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
FQT4N20LTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1065
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA32N20C, 32 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
FQA32N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4935
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 200 V,
制造商零件编号:
FQP12P20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
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