CAS120M12BM2,916-3879,Wolfspeed 双 SiC N沟道 MOSFET CAS120M12BM2, 193 A, Vds=1200 V, 7引脚 ,Wolfspeed
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Wolfspeed 双 SiC N沟道 MOSFET CAS120M12BM2, 193 A, Vds=1200 V, 7引脚

制造商零件编号:
CAS120M12BM2
库存编号:
916-3879
Wolfspeed CAS120M12BM2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

CAS120M12BM2产品详细信息

Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET 模块

Wolfspeed(Cree Inc. 能源动力公司)碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 (2 MOSFET) 和 3 相 (6 MOSFET) 格式;它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括:感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。

• MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。
• 超低损耗高频操作
• 因 SiC 特性而易于并联
• 常闭,故障安全操作
• 铜基板和氮化铝绝缘体,可降低热要求

CAS120M12BM2产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  106.4mm  
  尺寸  106.4 x 61.4 x 30mm  
  典型关断延迟时间  70 ns  
  典型接通延迟时间  38 ns  
  典型输入电容值@Vds  6.3 nF @ 1 kV  
  典型栅极电荷@Vgs  378 nC @ 20 V  
  高度  30mm  
  晶体管材料  SiC  
  晶体管配置  串行  
  宽度  61.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  7  
  正向二极管电压  2.4V  
  正向跨导  53.8S  
  最大功率耗散  925 W  
  最大连续漏极电流  193 A  
  最大漏源电压  1200 V  
  最大漏源电阻值  0.03 Ω  
  最大栅阈值电压  2.6V  
  最大栅源电压  -10 V,25 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.8V  
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