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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTK102N65X2, 100 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-264P封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IXTK102N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1423
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3802PBF, 84 A, Vds=12 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IRLR3802PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5135
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708PBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IRFR3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4984
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708TRPBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IRFR3708TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5173
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IXYS HiperFET, X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK100N65X2, 100 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-264P封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IXFK100N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1429
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN102N65X2, 76 A, Vds=650 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
IXTN102N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1454
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3026LVT-7, 8.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOT-26封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
DMN3026LVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1082
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB13AN06A0, 62 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
FDB13AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8945
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Wolfspeed 双 SiC N沟道 MOSFET CAS120M12BM2, 193 A, Vds=1200 V, 7引脚
规格:最大漏源电阻值 0.03 Ω,
制造商零件编号:
CAS120M12BM2
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
916-3879
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