产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STW20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-3114
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10LTM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
FQB33N10LTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0885
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STP12NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5263
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
TSM2312CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6059
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Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
TSM2313CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6068
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
FDP10N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9166
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STB21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9837
查看其他仓库
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STW21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0294
查看其他仓库
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STF21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2789
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STP20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
809-1584
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB12NK80ZT4, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STB12NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0034
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STP5N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4433
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
IPP80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7019
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
IPA60R450E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8605
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
SPI15N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8778
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
IPP041N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7311
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023NE7N3 G, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
IPP023NE7N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4460
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
STW12NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8859
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FQD10N20CTM, 7.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
FQD10N20CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0936
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6412ANT4G, 58 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
NTB6412ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2869
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Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2311CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
TSM2311CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6055
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 70 ns,
制造商零件编号:
IPB038N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5437
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