TK16N60W,S1VF(S,891-2910,Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
TK16N60W,S1VF(S
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
891-2910
Toshiba TK16N60W,S1VF(S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK16N60W,S1VF(S产品详细信息

TK16N60W,S1VF(S产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.94mm  
  尺寸  15.94 x 5.02 x 20.95mm  
  典型关断延迟时间  100 ns  
  典型接通延迟时间  50 ns  
  典型输入电容值@Vds  1350 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.02mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.7V  
  最大功率耗散  130 W  
  最大连续漏极电流  15.8 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

TK16N60W,S1VF(S产品技术参数资料

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