IRFP150MPBF,827-4000,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150MPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150MPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号:
IRFP150MPBF
库存编号:
827-4000
Infineon IRFP150MPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFP150MPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFP150MPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.2 x 21.1mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1900 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  110 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  21.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  160 W  
  最大连续漏极电流  42 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  36 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

IRFP150MPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  MOSFET 晶体管 长度 16.13mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.2 x 21.1mm  Infineon 尺寸 16.13 x 5.2 x 21.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.2 x 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 16.13 x 5.2 x 21.1mm   典型关断延迟时间 45 ns  Infineon 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Infineon 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1900 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V   封装类型 TO-247AC  Infineon 封装类型 TO-247AC  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 21.1mm  Infineon 高度 21.1mm  MOSFET 晶体管 高度 21.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 21.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.2mm  Infineon 宽度 5.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.2mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.2mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 160 W  Infineon 最大功率耗散 160 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 160 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 160 W   最大连续漏极电流 42 A  Infineon 最大连续漏极电流 42 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 42 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 42 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 36 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 36 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFP150MPBF产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号