产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (7)
Infineon (15)
International Rectifier (2)
STMicroelectronics (34)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8623
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1506
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW15NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5342
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710ZSPBF, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF3710ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6853
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3710Z, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7664
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0213
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0037
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8862
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FQD16N25CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0964
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FQP70N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5174
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF3710ZS, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7677
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
SPB16N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3150
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FDB088N08
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9465
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0128
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0339
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0588
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB35N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0679
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8870_F085, 156 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FDP8870_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8556
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STP130N6F7, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP130N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-4684
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRFSL7540PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5132
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6645
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8856
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1989
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号