规格:最大功率耗散 160 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor MJH6284G NPN 达林顿晶体管对, 20 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
MJH6284G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5407
搜索
Fuji Electric 7MBR35UA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
7MBR35UA-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
716-5665
查看其他仓库
Infineon IRG4BC40SPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, <1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4BC40SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3247
搜索
Infineon F12-25R12KT4G N通道 IGBT 模块, 六角桥接, 25 A, Vce=1200 V, 38引脚 ECONO3封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
F12-25R12KT4G
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6826
查看其他仓库
Infineon IRG4BC40W-LPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4BC40W-LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0915
查看其他仓库
Infineon IRG4PC40UD-EPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PC40UD-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0943
搜索
Infineon IRG4PH40UDPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PH40UDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0959
搜索
Infineon FP50R12KT4G_B15 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FP50R12KT4G_B15
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6914
查看其他仓库
Infineon IRG4PH40UD-EPBF N沟道 IGBT, 41 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRG4PH40UD-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0940
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8623
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1506
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW15NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5342
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710ZSPBF, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
IRF3710ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6853
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3710Z, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7664
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0213
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STB40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0037
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8862
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FQD16N25CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0964
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FQP70N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5174
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF3710ZS, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
AUIRF3710ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7677
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB16N50C3, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
SPB16N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3150
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
FDB088N08
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9465
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 160 W,
制造商零件编号:
STP40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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