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安装类型	通孔
长度	15.8mm
尺寸	15.8 x 4.9 x 20.3mm
典型关断延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	31 ns
典型输入电容值@Vds	6300 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	94 nC @ 10 V
封装类型	TO-3P
高度	20.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.9mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Polar3
引脚数目	3
最大功率耗散	1.04 kW
最大连续漏极电流	50 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	145 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• IXFT50N60P3, IXFQ50N60P3, IXFH50N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier