规格:典型接通延迟时间 31 ns,
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
STW12NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1995
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9361
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34E10N1, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
TK34E10N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5086
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
PSMN5R6-100PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3003
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
TK34A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6195
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
PSMN5R6-100BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2990
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH110N65F_F155, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FCH110N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1283
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
TK34A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2341
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDMS86300
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9633
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
STW12NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0617
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
TK34A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5113
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT50N60P3, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-268封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IXFT50N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4486
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3 G, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPP048N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7440
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
BSC016N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5229
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R0-60PS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
PSMN3R0-60PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2946
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH50N60P3, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IXFH50N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4388
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ50N60P3, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IXFQ50N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4467
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 80 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDMS86300
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4728
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP110N65F, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FCP110N65F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7896
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1932TH, 175 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
MDP1932TH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4971
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