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安装类型	通孔
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 4.6 x 10.75mm
典型关断延迟时间	90 ns
典型接通延迟时间	25 ns
典型输入电容值@Vds	2050 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	70 nC @ 10 V
封装类型	I2PAK
高度	10.75mm
宽度	4.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	150 W
最大连续漏极电流	19.5 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	180 mΩ
最大栅源电压	±25 V
关键词

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 10.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 10.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 10.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 10.75mm   典型关断延迟时间 90 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 90 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 90 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 90 ns   典型接通延迟时间 25 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns   典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 50 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 50 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V   封装类型 I2PAK  STMicroelectronics 封装类型 I2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 I2PAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 I2PAK   高度 10.75mm  STMicroelectronics 高度 10.75mm  MOSFET 晶体管 高度 10.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 10.75mm   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 150 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 150 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W   最大连续漏极电流 19.5 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 19.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19.5 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19.5 A   最大漏源电压 600 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 180 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 180 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  

• N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) I2PAK