规格:最大功率耗散 150 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics 2STA1943 , PNP 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2STA1943
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8026
查看其他仓库
ON Semiconductor 2N3771G , NPN 晶体管, 30 A, Vce=40 V, HFE:5, 50 kHz, 2引脚 TO-204AA封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2N3771G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3224
搜索
ON Semiconductor NJW0281G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=250 V, HFE:75, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
NJW0281G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5450
搜索
ON Semiconductor NJW0302G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=250 V, HFE:75, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
NJW0302G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5454
搜索
Toshiba TTC5200(Q) , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PL封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
TTC5200(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5431
查看其他仓库
ON Semiconductor 2N3773G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=140 V, HFE:5, 3引脚 TO-204封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2N3773G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9270
搜索
Toshiba 2SC5200-O(S1,F,S) , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PL封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2SC5200-O(S1,F,S)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4817
搜索
Fairchild Semiconductor FJL4215OTU , PNP 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
FJL4215OTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0861
搜索
Fairchild Semiconductor FJL4315OTU , NPN 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
FJL4315OTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0864
搜索
Toshiba TTA1943(Q) , PNP 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 2-21F1A封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
TTA1943(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2653
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor 2SC5200OTU , NPN 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2SC5200OTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4077
搜索
ON Semiconductor 2N3772G , NPN 晶体管, 20 A, Vce=50 V, HFE:5, 50 kHz, 2引脚 TO-204AA封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2N3772G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3228
搜索
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2SC5200N(S1,E,S)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4808
搜索
Toshiba TTA1943(Q) , PNP 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PL封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
TTA1943(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5438
查看其他仓库
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) , PNP 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2SA1943N(S1,E,S)
品牌:
Toshiba
库存编号:
890-2620
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ON Semiconductor MJH11022G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=250 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
MJH11022G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5397
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ON Semiconductor 2N6052G PNP 达林顿晶体管对, 12 A, Vce=100 V, HFE=100, 2引脚 TO-204封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
2N6052G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3246
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Littlefuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
NGB8245NT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
802-1771
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Fairchild Semiconductor ISL9V3040S3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
ISL9V3040S3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9353
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Fairchild Semiconductor FGI3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
FGI3040G2_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8880
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IXYS IXA30PG1200DHGLB 双 N沟道 串联 IGBT, 43 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IXA30PG1200DHGLB
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2544
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Fairchild Semiconductor FGD3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
FGD3040G2_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0767
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Fairchild Semiconductor ISL9V3040D3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
ISL9V3040D3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8758
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IXYS IXA27IF1200HJ N沟道 IGBT, 43 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IXA27IF1200HJ
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0212
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Fairchild Semiconductor FGB3040CS N沟道 IGBT, 21 A, Vce=430 V, 6引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
FGB3040CS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8802
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