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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 6 x 0.81mm
典型关断延迟时间	31 ns
典型接通延迟时间	21 ns
典型输入电容值@Vds	4730 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	43 nC @ 4.5 V，82 nC @ 10 V
封装类型	PQFN
高度	0.81mm
宽度	6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	3600 mW
最大连续漏极电流	29 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	2 mΩ
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±16 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  International Rectifier 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6 x 0.81mm  International Rectifier 尺寸 5 x 6 x 0.81mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 0.81mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 0.81mm   典型关断延迟时间 31 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 31 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns   典型接通延迟时间 21 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns   典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 4.5 V，82 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 4.5 V，82 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 4.5 V，82 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 4.5 V，82 nC @ 10 V   封装类型 PQFN  International Rectifier 封装类型 PQFN  MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN   高度 0.81mm  International Rectifier 高度 0.81mm  MOSFET 晶体管 高度 0.81mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 0.81mm   宽度 6mm  International Rectifier 宽度 6mm  MOSFET 晶体管 宽度 6mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 6mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  International Rectifier 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 3600 mW  International Rectifier 最大功率耗散 3600 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3600 mW  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3600 mW   最大连续漏极电流 29 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 29 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A   最大漏源电压 40 V  International Rectifier 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 2 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 mΩ   最大栅阈值电压 2.5V  International Rectifier 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±16 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  International Rectifier 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  International Rectifier 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• MOSFET N-CH HEXFET 40V 100A