产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5302DTR2PBF, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
IRFH5302DTR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9284
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
IRLH5034TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9331
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6314
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STB34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9500
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STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STW34NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9792
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STP34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0106
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STF34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2815
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
SiHP30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9348
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
SiHG30N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9421
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76419S3ST_F085, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
HUF76419S3ST_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9312
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
FDD2572_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8063
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDV1527URH, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
MDV1527URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5022
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT1G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
NTMFS4899NFT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2951
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT3G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
NTMFS4899NFT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2960
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD2572, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
FDD2572
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9059
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW36NM60ND, 29 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STW36NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-6104
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN030-60YS, 29 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
PSMN030-60YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2873
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5820NLTWG, 29 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
NVTFS5820NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4201
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9761
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
IRFZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0103
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 4引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
STP34NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9685
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
SIHF30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9322
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Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 29 A,
制造商零件编号:
SIHG30N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9338
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