产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1324PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6807
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4004PBF, 350 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6986
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4368PBF, 350 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4368PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7002
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2804PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5558
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH5301TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9280
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLH5034TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9331
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A,313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
FDP020N06B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3539
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7530TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8870
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLP3034PBF, 327 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLP3034PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4067
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804SPBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2804SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8771
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804LPBF, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2804LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8787
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3006-7PPBF, 293 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS3006-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7052
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS3004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7058
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLS3034PBF, 343 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLS3034PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7250
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF1324
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9212
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLP3034PBF, 327 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLP3034PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9363
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8010, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC8010
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1187
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP7530PBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP7530PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8855
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020NE7N3G, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IPB020NE7N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9213
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804S-7PPBF, 320 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2804S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8800
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6725MTR1PBF, 28 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6725MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6778
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6727MTR1PBF, 32 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6727MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6780
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLS3036PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7263
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6201PBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9228
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH260N6F6-2, 180 A, Vds=60 V, 3引脚 H2PAK-2封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2 mΩ,
制造商零件编号:
STH260N6F6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0525
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