AUIRF4104,715-7667,Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF4104, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF4104, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
AUIRF4104
库存编号:
715-7667
Infineon AUIRF4104
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

AUIRF4104产品详细信息

汽车 N 通道功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

AUIRF4104产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.66mm  
  尺寸  10.66 x 4.82 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  38 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  3000 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  68 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.82mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  5.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

AUIRF4104配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

AUIRF4104相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.66mm  Infineon 长度 10.66mm  MOSFET 晶体管 长度 10.66mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.66mm   尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  Infineon 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.66 x 4.82 x 16.51mm   典型关断延迟时间 38 ns  Infineon 典型关断延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.51mm  Infineon 高度 16.51mm  MOSFET 晶体管 高度 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.51mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.82mm  Infineon 宽度 4.82mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 140 W  Infineon 最大功率耗散 140 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W   最大连续漏极电流 120 A  Infineon 最大连续漏极电流 120 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A   最大漏源电压 40 V  Infineon 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 5.5 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 5.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5.5 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5.5 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

AUIRF4104产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号