规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644SPBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF644SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9311
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104SPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF4104SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8894
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
688-6863
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF10N60ZH, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDF10N60ZH
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
806-5052
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD068P03L3G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD068P03L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5108
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI644GPBF, 7.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI644GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9670
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6679AZ, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS6679AZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0602
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA13N80_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4897
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQAF13N80, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQAF13N80
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4982
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Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF4104, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7667
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P04P4-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80P04P4-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6801
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7611
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPW90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7652
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644PBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF644PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9305
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF4104S, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF4104S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7670
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8560S, 70 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS8560S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9199
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P04P407ATMA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80P04P407ATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9487
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P04P4-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80P04P4-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7016
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7557
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