产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7642
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP054N10, 144 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
FDP054N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9661
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3G, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPB030N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5209
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7833PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR7833PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3385
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR4104
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3988
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFU4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7649
查看其他仓库
Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF4104, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7667
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD4804NT4G, 117 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
NVD4804NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0932
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4804NT4G, 117 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
NTD4804NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7881
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N03S4L-06, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPD50N03S4L-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4590
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4904NT4G, 79 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
NTD4904NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0539
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5890NLT4G, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
NVD5890NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4428
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-H5
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6980
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