2SK2992(TE12L,F),415-225,Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK2992(TE12L,F), 1 A, Vds=200 V, 4引脚 PW Mini封装 ,Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK2992(TE12L,F), 1 A, Vds=200 V, 4引脚 PW Mini封装

制造商零件编号:
2SK2992(TE12L,F)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
415-225
Toshiba 2SK2992(TE12L,F)
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2SK2992(TE12L,F)产品详细信息

MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba

2SK2992(TE12L,F)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.6mm  
  尺寸  4.6 x 2.5 x 1.6mm  
  典型输入电容值@Vds  90 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3 nC @ 10 V  
  封装类型  PW Mini  
  高度  1.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1500 mW  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  3.5 Ω  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

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2SK2992(TE12L,F)产品技术参数资料

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