品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD220N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7435
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSC028N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5241
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPP037N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5487
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSZ0902NS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9159
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSZ0902NSI
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9207
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPG20N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9222
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD036N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9364
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSZ036NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9376
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSS316N, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS316N
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8257
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD50N06S4L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9061
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P04P4-13, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD50P04P4-13
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9109
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSZ0907NDXTMA1, 25 A,30 A, Vds=30 V, 8引脚 WISON封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSZ0907NDXTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5233
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPB70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4495
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPB80N04S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4502
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4530
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
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Infineon OptiMOS T2 系列 P沟道 Si MOSFET IPD70P04P4L-08, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPD70P04P4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4613
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPI80N06S2L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6772
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP80N06S2L-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最小栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6993
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