BSS316N,826-8257,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSS316N, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSS316N, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
BSS316N
库存编号：
826-8257
Infineon BSS316N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSS316N产品详细信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。

BSS316N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 1mm  
  典型关断延迟时间  5.8 ns  
  典型接通延迟时间  3.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  71 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.6 nC @ 5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  1.4 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  280 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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