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安装类型	表面贴装
长度	10mm
尺寸	10 x 9.25 x 4.4mm
典型关断延迟时间	70 ns
典型接通延迟时间	30 ns
典型输入电容值@Vds	3850 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	155 nC @ 10 V
封装类型	PG-TO-263-7-1
高度	4.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.25mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TEMPFET
引脚数目	7+Tab
正向二极管电压	1.4V
正向跨导	70S
最大功率耗散	300 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	49 V
最大漏源电阻值	0.0095 Ω
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.2V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10mm  Infineon 长度 10mm  MOSFET 晶体管 长度 10mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  Infineon 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm   典型关断延迟时间 70 ns  Infineon 典型关断延迟时间 70 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 70 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 70 ns   典型接通延迟时间 30 ns  Infineon 典型接通延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns   典型输入电容值@Vds 3850 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3850 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3850 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3850 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 155 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 155 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 155 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 155 nC @ 10 V   封装类型 PG-TO-263-7-1  Infineon 封装类型 PG-TO-263-7-1  MOSFET 晶体管 封装类型 PG-TO-263-7-1  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 PG-TO-263-7-1   高度 4.4mm  Infineon 高度 4.4mm  MOSFET 晶体管 高度 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.4mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.25mm  Infineon 宽度 9.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.25mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TEMPFET  Infineon 系列 TEMPFET  MOSFET 晶体管 系列 TEMPFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 TEMPFET   引脚数目 7+Tab  Infineon 引脚数目 7+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 7+Tab  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 7+Tab   正向二极管电压 1.4V  Infineon 正向二极管电压 1.4V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.4V   正向跨导 70S  Infineon 正向跨导 70S  MOSFET 晶体管 正向跨导 70S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 70S   最大功率耗散 300 W  Infineon 最大功率耗散 300 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W   最大连续漏极电流 80 A  Infineon 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 49 V  Infineon 最大漏源电压 49 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 49 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 49 V   最大漏源电阻值 0.0095 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.0095 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0095 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0095 Ω   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Infineon 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  

• BTS282Z Speed TEMPFET N-ch MOSFET