BSZ0907NDXTMA1,827-5233,Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSZ0907NDXTMA1, 25 A,30 A, Vds=30 V, 8引脚 WISON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSZ0907NDXTMA1, 25 A,30 A, Vds=30 V, 8引脚 WISON封装

制造商零件编号:
BSZ0907NDXTMA1
库存编号:
827-5233
Infineon BSZ0907NDXTMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSZ0907NDXTMA1产品详细信息

Infineon OptiMOS? 双电源 MOSFET

BSZ0907NDXTMA1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 3.1 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  17.2 ns, 18.5 ns  
  典型接通延迟时间  6 (Q2) ns, 6.2 (Q1) ns  
  典型输入电容值@Vds  550 pF@ 15 V, 680 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4.3 nC @ 4.5 V,5.3 nC @ 4.5 V  
  封装类型  WISON  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  串行  
  宽度  3.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.3 W  
  最大连续漏极电流  25 A,30 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  10 mΩ,13 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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BSZ0907NDXTMA1产品技术参数资料

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