ZXMP10A18GTA,922-8020,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A18GTA, 3.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A18GTA, 3.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMP10A18GTA
库存编号:
922-8020
DiodesZetex ZXMP10A18GTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMP10A18GTA产品详细信息

P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc

ZXMP10A18GTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.7mm  
  典型关断延迟时间  33.9 ns  
  典型接通延迟时间  4.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1055 pF @ -50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  26.9 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  3.9 W  
  最大连续漏极电流  3.7 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMP10A18GTA产品技术参数资料

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