NDS356AP,917-5554,Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
NDS356AP
库存编号:
917-5554
Fairchild Semiconductor NDS356AP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NDS356AP产品详细信息

增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

NDS356AP产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.92mm  
  尺寸  2.92 x 1.4 x 0.94mm  
  典型关断延迟时间  53 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  280 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.4 nC @ 5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.94mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  2S  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  1.1 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  400 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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