产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX30N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
193-947
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRF630
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-0171
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450LCPBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP450LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0187
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP450APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0030
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
STF11NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5239
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTS4409NT1G, 700 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
NTS4409NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4770
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
SIHF630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2623
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9953TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4998
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
NDS356AP
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5554
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH24N80P, 24 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH24N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-079
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NXP Si N沟道 MOSFET BSH103, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
BSH103
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-7554
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
BSH103
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5560
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450PBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP450PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0058
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A13FTA, 1.1 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP6A13FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7543
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG8850NZ, 750 mA, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
FDG8850NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0362
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
STW11NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9768
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG14N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9213
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
SiHP14N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9216
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Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
CSD13381F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9231
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
SPD09P06PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9074
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH16N50P, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH16N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0779
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
STP11NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8852
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NXP P沟道 MOSFET 晶体管 BSH205,215, 750 mA, Vds=12 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
BSH205,215
品牌:
NXP
库存编号:
484-2555
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPC60LCPBF, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 400 mΩ,
制造商零件编号:
IRFPC60LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0216
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