CCS020M12CM2,916-3888,Wolfspeed 六 N沟道 SiC MOSFET CCS020M12CM2, 29 A, Vds=1200 V, 28引脚 ,Wolfspeed
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Wolfspeed 六 N沟道 SiC MOSFET CCS020M12CM2, 29 A, Vds=1200 V, 28引脚

制造商零件编号：
CCS020M12CM2
库存编号：
916-3888
Wolfspeed CCS020M12CM2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

CCS020M12CM2产品详细信息

Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET 模块

Wolfspeed（Cree Inc. 能源动力公司）碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 (2 MOSFET) 和 3 相 (6 MOSFET) 格式；它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括：感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。

• MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。
• 超低损耗高频操作
• 因 SiC 特性而易于并联
• 常闭，故障安全操作
• 铜基板和氮化铝绝缘体，可降低热要求

CCS020M12CM2产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  108mm  
  尺寸  108 x 47 x 17mm  
  典型关断延迟时间  22.4 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  900 pF @ 800 V  
  典型栅极电荷@Vgs  61.5 nC @ 20 V，61.5 nC @ 5 V  
  高度  17mm  
  晶体管材料  SiC  
  晶体管配置  3 相  
  宽度  47mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  6  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  28  
  正向二极管电压  2.3V  
  正向跨导  9.8S  
  最大功率耗散  167 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  1200 V  
  最大漏源电阻值  0.208 Ω  
  最大栅阈值电压  2.2V  
  最大栅源电压  -10 V，25 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.7V  
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电话:400-900-3095
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CCS020M12CM2产品技术参数资料

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