STU16N60M2,906-2877,STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号:
STU16N60M2
库存编号:
906-2877
STMicroelectronics STU16N60M2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STU16N60M2产品详细信息

N 通道 MDmesh? M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

STU16N60M2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 2.4 x 6.2mm  
  典型关断延迟时间  58 ns  
  典型接通延迟时间  10.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  700 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  IPAK  
  高度  6.2mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M2  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.6V  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  320 mΩ  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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