STD12N60M2,906-2767,STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N60M2, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N60M2, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
STD12N60M2
库存编号：
906-2767
STMicroelectronics STD12N60M2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STD12N60M2产品详细信息

N 通道 MDmesh? M2 系列，STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。

STD12N60M2产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  典型栅极电荷@Vgs  16 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M2  
  引脚数目  3  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STD12N60M2产品技术参数资料

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