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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间	161 ns
典型接通延迟时间	28 ns
典型输入电容值@Vds	3454 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	103 nC @ 10 V
封装类型	TO-263
高度	4.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	EF Series
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	12S
最大功率耗散	278 W
最大连续漏极电流	33 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	0.098 Ω
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Vishay 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Vishay 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 161 ns  Vishay 典型关断延迟时间 161 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 161 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 161 ns   典型接通延迟时间 28 ns  Vishay 典型接通延迟时间 28 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns   典型输入电容值@Vds 3454 pF @ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 3454 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3454 pF @ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3454 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Vishay 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.83mm  Vishay 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Vishay 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 EF Series  Vishay 系列 EF Series  MOSFET 晶体管 系列 EF Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 EF Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.2V  Vishay 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 12S  Vishay 正向跨导 12S  MOSFET 晶体管 正向跨导 12S  Vishay MOSFET 晶体管 正向跨导 12S   最大功率耗散 278 W  Vishay 最大功率耗散 278 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 278 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 278 W   最大连续漏极电流 33 A  Vishay 最大连续漏极电流 33 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 33 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 33 A   最大漏源电压 600 V  Vishay 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 0.098 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 0.098 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.098 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.098 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• SiHB33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode