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安装类型	通孔
长度	15.87mm
尺寸	15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间	257 ns
典型接通延迟时间	56 ns
典型输入电容值@Vds	7500 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	253 nC @ 10 V
封装类型	TO-247AC
高度	20.82mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.31mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	EF Series
引脚数目	3
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	25S
最大功率耗散	520 W
最大连续漏极电流	70 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	38 mΩ
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• SiHG70N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode