IPP50R500CE,892-2270,Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP50R500CE
库存编号:
892-2270
Infineon IPP50R500CE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP50R500CE产品详细信息

Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET

IPP50R500CE产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  433 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18.7 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CE  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  0.85V  
  最大功率耗散  57 W  
  最大连续漏极电流  7.6 A  
  最大漏源电压  550 V  
  最大漏源电阻值  520 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPP50R500CE产品技术参数资料

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