IPW60R299CP,892-2181,Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IPW60R299CP
库存编号:
892-2181
Infineon IPW60R299CP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPW60R299CP产品详细信息

Infineon CoolMOS?CP 功率 MOSFET

IPW60R299CP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.03mm  
  尺寸  16.03 x 5.16 x 21.1mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1100 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.16mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CP  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.2V  
  最大功率耗散  96 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  299 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V,±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPW60R299CP产品技术参数资料

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