关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.8mm
典型关断延迟时间	14 ns
典型接通延迟时间	6.4 ns
典型输入电容值@Vds	340 pF @ 48 V
典型栅极电荷@Vgs	6.4 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	3+Tab
正向二极管电压	1.1V
最大功率耗散	2.6 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	160 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  STMicroelectronics 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  STMicroelectronics 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm   典型关断延迟时间 14 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns   典型接通延迟时间 6.4 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 6.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns   典型输入电容值@Vds 340 pF @ 48 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 340 pF @ 48 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 340 pF @ 48 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 340 pF @ 48 V   典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  STMicroelectronics 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.8mm  STMicroelectronics 高度 1.8mm  MOSFET 晶体管 高度 1.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 1.8mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  STMicroelectronics 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  STMicroelectronics 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET  STMicroelectronics 系列 STripFET  MOSFET 晶体管 系列 STripFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET   引脚数目 3+Tab  STMicroelectronics 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   正向二极管电压 1.1V  STMicroelectronics 正向二极管电压 1.1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.1V   最大功率耗散 2.6 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 2.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.6 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.6 W   最大连续漏极电流 3 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A   最大漏源电压 60 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 160 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 160 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ   最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• STN3P6F6, P-Channel 60V, 0.13 Ohm typ., 3A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 Package