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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Nexperia PBSS4041PZ , PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=60 V, HFE:120, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
PBSS4041PZ
品牌:
Nexperia
库存编号:
801-5634
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
NTMS5835NLR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0920
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424ZTA, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
ZVP4424ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1858
查看其他仓库
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN4031SSD-13, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
DMN4031SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3236
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STN3P6F6, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
STN3P6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2949
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07ZTA, 2.5 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
ZXMN6A07ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7691
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET NTD4906NT4G, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
NTD4906NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0548
查看其他仓库
Maxim MAX14778ETP+ 多路复用器, 双 4:1, 20Mbit/s, 3 → 5.5 V电源, 20引脚 TQFN封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
MAX14778ETP+
品牌:
Maxim
库存编号:
783-3810
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NXP PBSS4041NZ , NPN 晶体管, 7 A, Vce=60 V, HFE:300, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
PBSS4041NZ
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-0699
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11ZTA, 3.6 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
ZXMN6A11ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2450
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4904NT4G, 79 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
NTD4904NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0539
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17552Q3A, 74 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
规格:最大功率耗散 2.6 W,
制造商零件编号:
CSD17552Q3A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4852
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