IRFP7718PBF,872-4192,Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7718PBF, 355 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7718PBF, 355 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号:
IRFP7718PBF
库存编号:
872-4192
Infineon IRFP7718PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFP7718PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFP7718PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  典型关断延迟时间  266 ns  
  典型接通延迟时间  58 ns  
  典型输入电容值@Vds  29550 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  552 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.7mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.3V  
  正向跨导  420S  
  最大功率耗散  517 W  
  最大连续漏极电流  355 A  
  最大漏源电压  75 V  
  最大漏源电阻值  1.8 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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QQ:800152669

IRFP7718PBF产品技术参数资料

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