产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603140L, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
SK8603140L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7630
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R8-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN1R8-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2924
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16415Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4808
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD17556Q5B
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4864
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7437TRLPBF, 250 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7437TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4206
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Infineon StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7437PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7437PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9150
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7437PBF, 195 A,250 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7437PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8972
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFSL8407, 195 A,250 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFSL8407
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1039
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7718PBF, 355 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP7718PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4192
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP7718PBF, 355 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP7718PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3325
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7558S, 199 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7558S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6323
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804WL, 240 A,295 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262WL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2804WL
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9118
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFS8407, 195 A,250 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS8407
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1004
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP360N4F6, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
STP360N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-6085
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB015N04LG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPB015N04LG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5306
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7434PBF, 320 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 1.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7434PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3347
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